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更新時間:2026-01-12
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影響:是形成碳酸鈣(CaCO?)、硫酸鈣(CaSO?)等常見水垢的主要陽離子;
選擇依據(jù):鈣離子濃度越高,越需要高效分散型或螯合能力強(qiáng)的阻垢劑(如聚羧酸類、有機(jī)膦酸鹽);
單位:通常以 mg/L(以 CaCO? 計)表示,>200 mg/L 屬高硬度水。
影響:堿度高意味著水中碳酸氫根多,加熱或pH升高時易轉(zhuǎn)化為 CO?2?,與 Ca2? 結(jié)合成 CaCO? 垢;
選擇依據(jù):高堿度水需選用對碳酸鈣抑制能力強(qiáng)的阻垢劑(如 HEDP、PBTC 或復(fù)合配方);
注意:Langelier 飽和指數(shù)(LSI)常用于評估 CaCO? 結(jié)垢傾向,LSI > 0 表示有結(jié)垢風(fēng)險。
影響:
pH > 8.5 時,HCO?? 轉(zhuǎn)化為 CO?2?,加速 CaCO? 沉淀;
pH > 9.5 時,可能析出 Mg(OH)?;
高 pH 還會降低某些阻垢劑(如聚丙烯酸)的分散效果;
選擇依據(jù):高 pH 系統(tǒng)應(yīng)選用耐堿性好的阻垢劑(如 PBTC、膦羧酸共聚物)。
影響:與 Ca2? 結(jié)合生成 CaSO? 垢(尤其在反滲透濃水側(cè)或高溫蒸發(fā)器中);
選擇依據(jù):當(dāng) [Ca2?] × [SO?2?] 接近或超過溶度積時,需使用對硫酸鈣有的阻垢劑(如專用 RO 阻垢劑含磺酸基團(tuán)聚合物)。
影響:硅在 pH > 8 或高溫下易聚合形成難溶硅垢(如硅酸鈣、硅酸鎂),極難清除;
選擇依據(jù):
SiO? > 150 mg/L 時需特別關(guān)注;
應(yīng)選用含硅分散劑的復(fù)合阻垢劑(如含馬來酸-丙烯酸共聚物);
反滲透系統(tǒng)中通常要求濃水側(cè) SiO? < 240 mg/L。
影響:鐵離子可催化氧化、形成氫氧化鐵膠體,并與磷酸鹽或有機(jī)物結(jié)合成污垢;
選擇依據(jù):含鐵水需選用具有鐵分散/穩(wěn)定功能的阻垢劑(如含膦羧酸或特殊聚合物),避免使用易與鐵絡(luò)合沉淀的藥劑。
影響:來自補(bǔ)充水或添加的緩蝕劑,易與 Ca2? 形成磷酸鈣垢(Ca?(PO?)?);
選擇依據(jù):高磷系統(tǒng)需阻垢劑具備強(qiáng)磷酸鈣抑制能力(如 ATMP、HEDP 或多元共聚物)。
影響:TDS 越高,離子濃度越大,結(jié)垢風(fēng)險越高;循環(huán)水系統(tǒng)中濃縮倍數(shù)越高,結(jié)垢離子被富集;
選擇依據(jù):高 TDS 或高濃縮倍數(shù)(>5 倍)系統(tǒng)需更高劑量或更強(qiáng)效的復(fù)合阻垢劑。
影響:雖不直接導(dǎo)致化學(xué)結(jié)垢,但顆粒物可成為晶核,加速垢沉積;
選擇依據(jù):高濁度水需阻垢劑兼具良好分散性能,防止“垢+泥"復(fù)合污堵。
影響:溫度升高顯著加快結(jié)垢反應(yīng)速率(如 CaCO? 在 60℃ 以上極易析出);
選擇依據(jù):高溫系統(tǒng)(如換熱器、蒸發(fā)器)應(yīng)選用熱穩(wěn)定性好的阻垢劑(如 PBTC、聚天冬氨酸)。
全面水質(zhì)分析:至少包括 Ca2?、Mg2?、HCO??、SO?2?、SiO?、Fe、PO?3?、pH、TDS;
計算結(jié)垢傾向:如 LSI(碳酸鈣)、S&DSI(硫酸鈣)、硅飽和指數(shù);
明確系統(tǒng)工況:溫度、壓力、流速、回收率(RO)、濃縮倍數(shù)(循環(huán)水);
匹配阻垢劑類型:
高鈣高堿 → 有機(jī)膦酸 + 聚合物復(fù)合型;
高硅 → 含硅分散劑配方;
高硫酸根 → 磺酸類共聚物;
高溫高 pH → PBTC 或聚天冬氨酸類。
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